北京時(shí)間12月19日，美光科技（MU.O）發(fā)布了截至今年11月28日的2025年第一財(cái)季財(cái)報(bào)。雖然AI對于存儲器的需求依然強(qiáng)勁，不過由于消費(fèi)市場低迷等因素影響，美光科技調(diào)低了2025年第二財(cái)季的業(yè)績預(yù)期。盤后，美光科技股價(jià)下跌超16%。

美光科技是國際第三大半導(dǎo)體存儲器公司，主要提供高性能DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和NAND（一種非易失性存儲器）產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電腦、服務(wù)器、AI、汽車、工業(yè)、醫(yī)療等領(lǐng)域，總部位于美國。

最新財(cái)報(bào)顯示，公司在上一財(cái)季實(shí)現(xiàn)營收87億美元，同比增長84%，環(huán)比增長12%。毛利率為40%，環(huán)比有所增長，同比增幅較大。凈利潤20億美元，同比轉(zhuǎn)盈，環(huán)比增長52%。

從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)看，上一財(cái)季美光科技DRAM收入和NAND收入占比分別為73%和26%。兩大品類呈現(xiàn)出此消彼長的態(tài)勢，DRAM的營收和出貨量均有增長，NAND的營收和出貨量均出現(xiàn)下滑。并且在平均銷售價(jià)格（ASP）方面，DRAM存在高個(gè)位數(shù)百分比的上升，而NAND存在低個(gè)位數(shù)百分比的下降?？梢钥闯?，近兩個(gè)財(cái)季市場對美光科技DRAM的重視程度高于其NAND產(chǎn)品。

上一財(cái)季資本開支為31億美元，美光科技預(yù)計(jì)這一財(cái)季資本開支約為30億美元，2025財(cái)年資本開支約為140億美元。公司表示，該財(cái)年的資本開支主要投入到HBM（高性能DRAM存儲器，用于AI計(jì)算）研發(fā)，也將支持到工廠建設(shè)、研發(fā)投入等方面。另外，美光科技已削減NAND資本開支，并謹(jǐn)慎控制NAND技術(shù)節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)速度，以管理產(chǎn)品供給。

在財(cái)報(bào)會上，美光科技給出了低于第一財(cái)季的本財(cái)季業(yè)績預(yù)期，第二財(cái)季的營收和凈利潤將低于第一財(cái)季：營收預(yù)計(jì)為79億美元（第一財(cái)季為87億美元），稀釋每股收益約為1.43美元/股（第一財(cái)季為1.79美元/股）。對于調(diào)低預(yù)期的原因，美光科技解釋道，第二財(cái)季的預(yù)期調(diào)低是受消費(fèi)者終端市場庫存調(diào)整，季節(jié)性因素，數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)在連續(xù)多季度快速增長后回調(diào)的影響。

美光科技表示，近期消費(fèi)市場仍然低迷，但是該市場預(yù)計(jì)將在公司2025財(cái)年下半期開始回暖，另外當(dāng)前工業(yè)和汽車的市場需求也較薄弱。美光科技CEO桑賈伊·梅洛特拉（Sanjay Mehrotra）在財(cái)報(bào)會上講道：“市場對于智能手機(jī)的需求依然不大，我們估計(jì)其出貨量將在本財(cái)年的中后期回暖。”CFO馬克·墨菲（Mark Murphy）補(bǔ)充道：“我們的智能手機(jī)客戶還在改善公司庫存健康水平，我們就把產(chǎn)品供給重心轉(zhuǎn)向了數(shù)據(jù)中心客戶。”

在消費(fèi)市場低迷的同時(shí)，AI對于美光科技存儲器的需求依舊保持強(qiáng)勁。這一財(cái)季，其數(shù)據(jù)中心收入首次超過整體收入的50%，同比增長400%。美光科技的HBM收入，較上一財(cái)季幾乎翻倍，同時(shí)公司預(yù)計(jì)HBM將為美光科技在2025財(cái)年創(chuàng)造數(shù)十億美元的收入。

美光科技，和三星電子（005930.KS）、SK海力士（000660.KS）并稱為全球三大存儲器廠商。根據(jù)TrendForce，在DRAM和NAND兩個(gè)主要存儲器市場上，三星電子、SK海力士和美光科技的市占率分別位列第一、第二和第三。

在DRAM市場，作為DRAM中最炙手可熱的品類，HBM受到AI芯片對高性能存儲的需要而備受市場青睞。三星電子、SK海力士和美光科技分別研發(fā)并銷售HBM3E（第五代HBM產(chǎn)品） 的12層產(chǎn)品，為目前領(lǐng)域內(nèi)性能最強(qiáng)勁的產(chǎn)品。三家企業(yè)競爭激烈，海力士擁有先發(fā)優(yōu)勢，現(xiàn)在處于領(lǐng)先地位。SK海力士于今年9月宣布率先量產(chǎn)HBM3E 12層產(chǎn)品，并批量供應(yīng)給英偉達(dá)。根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Counterpoint，SK海力士目前占據(jù)大部分HBM的市場份額。

三星電子在此方面晚于競爭對手SK海力士，不過正積極追趕。它在截至今年9月的第三季度財(cái)報(bào)會上表示，其HBM3E正在量產(chǎn)并銷售，然而當(dāng)時(shí)HBM3E占HBM收入不到10%，銷售額將在第四季度放量。美光科技在本次財(cái)報(bào)會上透露，其HBM3E已成功供貨多家客戶，并在開拓更多市場，市占率有望進(jìn)一步提升。

對于未來HBM的價(jià)格變化，Counterpoint對記者表示，隨著技術(shù)成熟和良率提升，HBM價(jià)格會有所下降，但是制造成本高且需求旺盛，價(jià)格下降幅度不大。“短期內(nèi)，由于供不應(yīng)求，HBM價(jià)格甚至保持高位。”

HBM是AI芯片的高速存儲，而NAND是AI計(jì)算的海量存儲。當(dāng)前2D NAND正向3D NAND發(fā)展，3D NAND作為AI計(jì)算的大容量存儲器，受到下游客戶的歡迎。三星電子、SK海力士和美光科技分別在技術(shù)、產(chǎn)品、市場等方面在NAND領(lǐng)域開展競爭。Counterpoint認(rèn)為，三家公司在該領(lǐng)域的布局也各有差異：三星電子的NAND產(chǎn)品線最齊全，覆蓋中低高端產(chǎn)品線，市場份額領(lǐng)先；SK海力士主打包括QLC技術(shù)在內(nèi)的創(chuàng)新架構(gòu)，聚焦于數(shù)據(jù)中心應(yīng)用；美光科技更注重高性能和高可靠，專攻企業(yè)級存儲市場。