AI服務(wù)器需求量到底有多大？關(guān)于這一問(wèn)題的答案，近期業(yè)內(nèi)缺少共識(shí)。

“我之前說(shuō)過(guò)，預(yù)計(jì)到2030年，數(shù)據(jù)中心建設(shè)投入的金額將達(dá)1萬(wàn)億美元，現(xiàn)在我確信我們會(huì)很快實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。”英偉達(dá)CEO黃仁勛近日在GTC大會(huì)上表達(dá)對(duì)算力需求的信心。

不過(guò)，黃仁勛話音剛落，3月24日，高盛分析團(tuán)隊(duì)就下調(diào)了機(jī)架級(jí)AI服務(wù)器銷量預(yù)測(cè)。由于產(chǎn)品過(guò)渡期影響和供需不確定性等，高盛將機(jī)架級(jí)AI服務(wù)器2025年、2026預(yù)期出貨量從3.1萬(wàn)臺(tái)、6.6萬(wàn)臺(tái)下調(diào)至1.9萬(wàn)臺(tái)、5.7萬(wàn)臺(tái)。接著，3月25日，阿里巴巴集團(tuán)主席蔡崇信表示，開(kāi)始看到人工智能數(shù)據(jù)中心建設(shè)出現(xiàn)泡沫苗頭，美國(guó)許多數(shù)據(jù)中心投資公告都是“重復(fù)”或相互重疊。3月25日，港股多只AI基建概念股應(yīng)聲而跌。

AI服務(wù)器能在多大程度上拉動(dòng)數(shù)據(jù)中心建設(shè)？供應(yīng)鏈上，近日多名存儲(chǔ)廠商負(fù)責(zé)人告訴第一財(cái)經(jīng)記者，他們看到今年數(shù)據(jù)中心服務(wù)器對(duì)存儲(chǔ)需求的強(qiáng)度與去年相仿。

實(shí)際上，為了在數(shù)據(jù)中心需求增長(zhǎng)的過(guò)程中爭(zhēng)奪市場(chǎng)，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)已在進(jìn)行一場(chǎng)深刻的調(diào)整，其中不僅涉及技術(shù)變遷，還牽扯到持續(xù)多年的NAND堆疊競(jìng)爭(zhēng)。

數(shù)據(jù)中心的需求是真的嗎？

從公開(kāi)信息看科技巨頭的投資，數(shù)據(jù)中心建設(shè)帶有一些不確定性。

根據(jù)已披露的資本支出數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TechInsights表示，頂級(jí)超大規(guī)模云服務(wù)商今年將在AI上投資約3200億美元，投資不減。在國(guó)內(nèi)，阿里巴巴已計(jì)劃未來(lái)三年投入3800億元用于AI和云計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，騰訊透露今年還將進(jìn)一步增加資本支出。

不過(guò)，與此同時(shí)，一些縮減數(shù)據(jù)中心建設(shè)消息傳出。有消息稱，微軟已放棄美國(guó)和歐洲原定使用2千兆瓦電力的新數(shù)據(jù)中心項(xiàng)目，原因是AI計(jì)算機(jī)集群供應(yīng)過(guò)剩。微軟回應(yīng)，公司可能會(huì)在某些領(lǐng)域調(diào)整戰(zhàn)略步伐或調(diào)整基礎(chǔ)設(shè)施，但仍將在所有地區(qū)繼續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。

紛繁的市場(chǎng)消息下，數(shù)據(jù)中心服務(wù)器供應(yīng)鏈上的存儲(chǔ)廠商，對(duì)真實(shí)需求已有判斷。SSD（固態(tài)硬盤）主控芯片廠商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章告訴記者，今年數(shù)據(jù)中心對(duì)存儲(chǔ)需求的強(qiáng)度與去年大致一樣，下半年需求可能還會(huì)比上半年更好。除了大型跨國(guó)企業(yè)在投入數(shù)據(jù)中心建設(shè)，馬來(lái)西亞、印度尼西亞、沙特阿拉伯等多國(guó)也在布局國(guó)家數(shù)據(jù)中心。

鎧俠電子（中國(guó)）董事長(zhǎng)兼總裁岡本成之也有類似感受。他告訴記者，眼下AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器相關(guān)的需求較為強(qiáng)勁，特別是北美市場(chǎng)。中國(guó)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器市場(chǎng)的情況雖然與美國(guó)不太一樣，但整體需求也不錯(cuò)。鎧俠預(yù)計(jì)全年數(shù)據(jù)中心需求非常堅(jiān)挺。

NAND閃存廠商預(yù)判，服務(wù)器需求增長(zhǎng)將成為拉動(dòng)NAND市場(chǎng)回暖的主要?jiǎng)恿?。鎧俠電子（中國(guó)）副總裁天野竜二告訴記者，今年上半年手機(jī)和 PC 的需求不是那么強(qiáng)勁，但如果考慮到服務(wù)器需求較好，鎧俠認(rèn)為今年全年 NAND 市場(chǎng)增長(zhǎng)將在10%~15%左右。

數(shù)據(jù)中心AI服務(wù)器的另一變化在于，服務(wù)器類型變了。鎧俠株式會(huì)社首席技術(shù)執(zhí)行官柳茂知告訴記者，市面上出現(xiàn)各種AI服務(wù)器，此前以訓(xùn)練型、學(xué)習(xí)型服務(wù)器為主，近段時(shí)間受DeepSeek等AI模型推動(dòng)，出現(xiàn)越來(lái)越多推理型服務(wù)器。鎧俠預(yù)計(jì)每臺(tái)AI推理型服務(wù)器搭載的存儲(chǔ)容量比學(xué)習(xí)型服務(wù)器小，但服務(wù)器臺(tái)數(shù)會(huì)增加，這對(duì)需求將有所拉動(dòng)。

除了數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，今年1月DeepSeek走紅之后，更多存儲(chǔ)廠商認(rèn)為端側(cè)硬件市場(chǎng)也將迎來(lái)變化，一個(gè)明顯的改變是硬件需要更大存儲(chǔ)容量。茍嘉章告訴記者，今年P(guān)C OEM（代工廠）已準(zhǔn)備推出搭載4T存儲(chǔ)的產(chǎn)品，手機(jī)存儲(chǔ)未來(lái)的里程碑則是2T存儲(chǔ)被采用。對(duì)于AI PC，美光集團(tuán)副總裁Dinesh Bahal在MemoryS 2025演講中表示，未來(lái)AI PC將需要比當(dāng)前PC多出80%的內(nèi)存容量。

“以往以美國(guó)公司為主的AI企業(yè)很重視算力硬件，其背后，模型訓(xùn)練十分昂貴。DeepSeek帶來(lái)一種更節(jié)省成本的邏輯，對(duì)端側(cè)AI應(yīng)用造成深遠(yuǎn)影響。” 茍嘉章告訴記者，以往AI PC等概念還像是口號(hào)，DeepSeek出來(lái)之后，市場(chǎng)真正看到SLM（小模型）能實(shí)現(xiàn)，這將帶動(dòng)更多端側(cè)AI應(yīng)用出現(xiàn)。

在此情況下，一些廠商和機(jī)構(gòu)對(duì)硬件設(shè)備搭載AI的情況作出最新預(yù)計(jì)。Dinesh Bahal預(yù)計(jì)，2025年將有43%的PC具備AI能力，到2028年，這一比例將上升至64%。鎧俠預(yù)計(jì)，預(yù)計(jì)2028年智能手機(jī)的AI搭載率將達(dá)到約一半，PC的AI搭載率將達(dá)到1/3。

向垂直和水平方向要密度

AI為半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的改變不僅是處理器市場(chǎng)向GPU傾斜、內(nèi)存市場(chǎng)向HBM（高帶寬內(nèi)存）傾斜，近期，更多廠商也看到閃存市場(chǎng)發(fā)生的深刻調(diào)整。

最主要的兩類存儲(chǔ)半導(dǎo)體是DRAM、NAND Flash，HBM從屬于前者，屬于內(nèi)存產(chǎn)品，與高性能GPU搭配使用可減少數(shù)據(jù)傳輸延遲。NAND Flash則是閃存，可制成SSD，在AI服務(wù)器中用于存儲(chǔ)模型參數(shù)、知識(shí)庫(kù)等。

茍嘉章告訴記者，端側(cè)AI應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)提出更多要求，雖然存儲(chǔ)不做運(yùn)算，但運(yùn)行模型涉及存儲(chǔ)數(shù)據(jù)讀寫。未來(lái)隨著NAND層數(shù)增加，DDR（一種內(nèi)存技術(shù)）工作頻率會(huì)從3600MHz變?yōu)?000MHz起跳，主控芯片需滿足閃存性能要求，主控芯片廠商還需要投入新技術(shù)研發(fā)，用于提升高密度存儲(chǔ)可靠性。三星電子軟件開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副總裁吳文旭也認(rèn)為，隨著生成式AI向多模態(tài)融合加速演進(jìn)，對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備性能速度、容量、能效優(yōu)化提出更高的要求。

NAND閃存廠商增加存儲(chǔ)密度、降低功耗的趨勢(shì)近期變得愈加明確。

與CPU、GPU這類處理器芯片相似，存儲(chǔ)半導(dǎo)體也通過(guò)采用先進(jìn)制程來(lái)提升性能并降低功耗，除此之外，存儲(chǔ)半導(dǎo)體更早走上3D堆疊的道路。HBM就是由多個(gè)DRAM堆疊而成，NAND堆疊層數(shù)也已達(dá)200層以上。垂直方向堆疊可增加單位面積存儲(chǔ)容量并優(yōu)化功耗表現(xiàn)，在水平層面，NAND閃存廠商則通過(guò)增加每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量來(lái)提升存儲(chǔ)密度。從SLC、MLC、TLC到QLC技術(shù)，每個(gè)存儲(chǔ)單元能存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多。

記者留意到，QLC成為近期NAND閃存市場(chǎng)的關(guān)鍵詞。無(wú)論是SSD主控芯片廠商，還是長(zhǎng)江存儲(chǔ)、鎧俠、Solidigm這種NAND閃存或SSD廠商，都在極力推廣QLC產(chǎn)品。

“AI應(yīng)用越來(lái)越多，端側(cè)不論是AI PC還是AI手機(jī)，存儲(chǔ)密度都會(huì)增加，這就是為什么很多廠商很著急地在推QLC。QLC可以增加存儲(chǔ)密度，相對(duì)TLC可以有更好的性價(jià)比。” 茍嘉章告訴記者。

Solidigm亞太區(qū)銷售副總裁倪錦峰稱，企業(yè)級(jí)QLC SSD受關(guān)注的背景是，去年起很多地區(qū)數(shù)據(jù)中心企業(yè)級(jí)客戶加大AIGC基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，導(dǎo)致空間、能耗、算力與存力問(wèn)題凸顯。

“我們最近與客戶的溝通中都會(huì)聊到DeepSeek，發(fā)現(xiàn)大家對(duì)中國(guó)存儲(chǔ)市場(chǎng)比較期待，但關(guān)于AI如何實(shí)現(xiàn)更大價(jià)值，客戶還在思考和討論。我們關(guān)注的一個(gè)方向，是基于QLC的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品能否在AI存儲(chǔ)領(lǐng)域進(jìn)一步推廣。” 天野竜二告訴記者。柳茂知解釋，因AI需求增加，市場(chǎng)對(duì)GPU服務(wù)器的投資急劇增長(zhǎng)，AI服務(wù)器空間有限且需要控制電力消耗，對(duì)SSD的要求往往是大容量、高密度且節(jié)能，QLC SSD因此非常合適。

在水平層面要密度，鍵合技術(shù)也成為關(guān)鍵技術(shù)。較早布局鍵合技術(shù)的NAND閃存廠商是長(zhǎng)江存儲(chǔ)。2018年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出Xtacking架構(gòu)，采用混合鍵合技術(shù)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)負(fù)責(zé)人范增緒解釋，這種架構(gòu)將存儲(chǔ)陣列和存儲(chǔ)外圍邏輯電路分別設(shè)計(jì)加工制造，再用混合鍵合方式結(jié)合成一個(gè)整體，特點(diǎn)是IO速度更快、存儲(chǔ)密度更高等。“一些友商原廠在最新一代產(chǎn)品或未來(lái)產(chǎn)品路線圖上，也采用了類似架構(gòu)。”范增緒表示。

去年鎧俠推出CBA架構(gòu)，CBA也是一種鍵合技術(shù)。鎧俠電子（中國(guó)）閃存顆粒技術(shù)統(tǒng)括部總經(jīng)理大久保貴史告訴記者，要提高存儲(chǔ)密度不僅要提高層數(shù)，還可以橫向縮小。由于提高堆疊層數(shù)增加的成本和技術(shù)難度較大，鎧俠也在推進(jìn)包括水平方向在內(nèi)的位密度提升。為此鎧俠引進(jìn)CBA，以便縮小NAND Cell（存儲(chǔ)單元） 尺寸。

布局鍵合技術(shù)的不僅長(zhǎng)江存儲(chǔ)和鎧俠，三星也在400層NAND產(chǎn)品中應(yīng)用鍵合技術(shù)。近期有消息稱，三星電子與長(zhǎng)江存儲(chǔ)達(dá)成了一項(xiàng)3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議，用于三星下一代堆疊層數(shù)400層以上的閃存芯片研發(fā)，三星電子和長(zhǎng)江存儲(chǔ)未回應(yīng)此消息。

邁向400層

要增加存儲(chǔ)密度并優(yōu)化功耗表現(xiàn)，NAND 3D堆疊的競(jìng)爭(zhēng)也十分激烈。近期，戰(zhàn)火開(kāi)始燃到400層。

去年11月，SK海力士宣布開(kāi)始量產(chǎn)全球最高的321層1Tb TLC 4D NAND閃存，不久后，三星電子的半導(dǎo)體研究所就開(kāi)發(fā)出400層NAND閃存技術(shù)。三星電子在今年2月的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上展示了400層 TLC NAND的一些信息，該產(chǎn)品仍待量產(chǎn)。有消息稱，SK海力士也在研發(fā)400層NAND技術(shù)，并計(jì)劃在2025年年底前為大規(guī)模生產(chǎn)做好準(zhǔn)備。往后看，“堆疊戰(zhàn)”還會(huì)持續(xù)下去，2030年前后，三星和鎧俠都計(jì)劃向1000層NAND閃存邁進(jìn)。

“NAND閃存產(chǎn)品的層數(shù)正從270層、290層左右一下跳到400層以上。層數(shù)迭代的節(jié)奏大約是三年一代。” 茍嘉章告訴記者，400層NAND閃存產(chǎn)品預(yù)計(jì)會(huì)在今年下半年，或者在今年底、明年初面世，量產(chǎn)時(shí)間則預(yù)計(jì)是在2026年下半年。

NAND閃存原廠的資本支出也在逐漸傾向于先進(jìn)產(chǎn)能。“原廠在產(chǎn)能資本支出上正在減少，同時(shí)存儲(chǔ)技術(shù)朝更先進(jìn)制程遷移。” CFM閃存市場(chǎng)總經(jīng)理邰煒觀察到，在供應(yīng)端，整體wafer（晶圓）產(chǎn)出相比以往的增量將明顯減少，存儲(chǔ)原廠的資本支出將更多投入更先進(jìn)的封裝技術(shù)或產(chǎn)品研發(fā)上，更側(cè)重HBM、1c、1γ和200層、300層這些先進(jìn)產(chǎn)能。

生產(chǎn)計(jì)劃上，NAND閃存廠商則選擇循序漸進(jìn)。天野竜二告訴記者，鎧俠目前主流產(chǎn)品的層數(shù)是BiCS5（112層），預(yù)計(jì)到明年3月前，BiCS5和BiCS8（218層）是最主要出貨的產(chǎn)品，2025年鎧俠的設(shè)備投資則將以218層產(chǎn)品為主。

天野竜二表示，BiCS8目前主要在日本中部地區(qū)三重縣四日市的工廠生產(chǎn)。今年秋天起，鎧俠會(huì)在日本東北地區(qū)的北上工廠第二個(gè)Fab工廠開(kāi)始生產(chǎn)218層。今年2月，鎧俠推出BiCS10（332層），BiCS10量產(chǎn)時(shí)間未定，會(huì)根據(jù)市場(chǎng)情況決定。

望向更高層數(shù)，天野竜二告訴記者，隨著NAND層數(shù)增加，蝕刻難度增加，鎧俠最主要的努力之一是提升蝕刻工藝。大久保貴史則告訴記者，從技術(shù)上看，1000層以上NAND是可以實(shí)現(xiàn)的，但取得性能和成本之間的適當(dāng)平衡非常重要。隨著層數(shù)上升，難度上升，成本也大幅上升，因此研發(fā)1000層以上NAND還要看市場(chǎng)對(duì)于密度、容量的需求。

也有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，雖然NAND閃存廠商未來(lái)將推出的產(chǎn)品在密度和功耗上有更好表現(xiàn)，但要在AI數(shù)據(jù)中心使用仍需一個(gè)過(guò)程。茍嘉章告訴記者，預(yù)計(jì)新一代NAND不會(huì)一開(kāi)始就面向數(shù)據(jù)中心，因?yàn)閿?shù)據(jù)中心需要的是穩(wěn)定、經(jīng)市場(chǎng)驗(yàn)證的技術(shù)，新一代NAND可能會(huì)先面向?qū)λ俣纫筝^高的手機(jī)。

（實(shí)習(xí)生屠佳若對(duì)此文亦有貢獻(xiàn)）