4月1日，意法半導(dǎo)體（ST Microelectronics，簡稱ST；NYSE:STM）與英諾賽科（02577.HK）宣布簽署了一項協(xié)議，雙方將在氮化鎵晶圓制造上進行合作。

根據(jù)協(xié)議，英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體在中國以外地區(qū)的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其氮化鎵晶圓，而意法半導(dǎo)體也可借助英諾賽科在中國的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其自有的氮化鎵晶圓。雙方共同的目標是依托這種靈活的供應(yīng)鏈布局，拓展各自的氮化鎵產(chǎn)品組合和市場供應(yīng)能力，提升供應(yīng)鏈韌性，從而滿足更廣泛的應(yīng)用場景下的各種客戶需求。

氮化鎵功率器件憑借其材料特性，為電源轉(zhuǎn)換、運動控制與驅(qū)動系統(tǒng)樹立了性能新標桿，可顯著降低能耗、提升效率、縮小體積并減輕重量，從而降低整體方案的成本與碳足跡。目前，氮化鎵功率器件已在消費電子、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源與光伏逆變器領(lǐng)域迅速普及，并因其顯著的輕量化優(yōu)勢，被積極應(yīng)用于下一代電動汽車動力系統(tǒng)設(shè)計中。

截至發(fā)稿，英諾賽科4月1日股價先跌后反彈，目前在42.4港元/股附近。